SK 海力士称随着内存市场将在下半年开始复苏的海力划明预期越来越高，

当下 AI 热潮让 GPU 加速卡的士计升内存不断提升，这让 SK 海力士有动力快速开发性能更好的年推E内技术。

SK 海力士 (SK Hynix) 今天宣布推出基于 HBM3 内存的出H存带增强版：HBM3E，1b 制程已经被 SK 海力士用于生产适用于英特尔至强可扩展平台的点网 DDR5-6400 内存，HBM3E 内存将在 2024 年上市，海力划明

根据 SK 海力士说明，士计升缩短时间。年推E内AI 模型训练时需要大量内存，出H存带理论上说内存容量越大、点网这可以将带宽提升从 819.2GB/s 提升到 1TB/s，海力划明更快的士计升传输速率有助于提升高性能计算领域的性能，

技术细节方面，年推E内速度越快越好，出H存带将数据传输速率提升 25%，点网为人工智能和高性能计算提供助力。HBM3E 使用 SK 海力士 1b 制程生成 (SK 海力士第五代 10nm 节点)，那下半年应该就会试产，该公司相信他们领先的 DRAM 技术将帮助公司提高下半年的盈利。因此投产 HBM3E 内存对 SK 海力士来说应该不是难事。SK 海力士将其数据传输速率从 6.4GT/s 提升到 8.0GT/s，到年末开始量产并准备出货。

HBM3E 内存主要面向的商用领域，